问题：解释下列名词：互连、接触、通孔和填充塞。...
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问题：什么是特征尺寸CD？...
问题：为什么要采用LDD工艺？它是如何减小沟道漏电流的？...
问题：半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化学组成分类。比较通用的则是根据其化学组成可分为（）半导体、（）半导体、固溶半导体三大类。...
问题：对于大尺寸的MOS管版图设计，适合采用什么样的版图结构？简述原因。...
问题：例举出硅片厂中使用的五种通用气体。...
问题：半导体分立器件、集成电路对外壳的主要要求之一是：良好的热性能。外壳应有小的（），使芯片的热量有效地散逸出去，保证器件在正常结温下工作。A、热阻B、阻抗C、结构参数...
问题：衬底清洗过程包括哪几个步骤？...
问题：例举离子注入工艺和扩散工艺相比的优点和缺点。...
问题：例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。...
问题：硅外延生长工艺包括（）。A、衬底制备B、原位HCl腐蚀C、生长温度，生长压力，生长速度D、尾气的处理...
问题：二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行（）扩散。A、预B、再C、选择...
问题：二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温（）、（）淀积、PECVD淀积。...
问题：什么是固相外延（SPE）及固相外延中存在的问题？...
问题：禁带宽度的大小决定着（）的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化。...
问题：解释投射电子能显微镜。...
问题：例举硅片制造厂房中的7种玷污源。...
问题：解释光刻胶选择比。要求的比例是高还是低？...
问题：例举并描述光刻中使用的两种曝光光源。...
问题：金丝球焊的优点是无方向性，键合强度一般（）同类电极系统的楔刀焊接。...
