问题：外壳设计包括电性能设计、热性能设计和结构设计三部分，而（）设计也包含在这三部分中间。...
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问题：液相外延的原理是饱和溶液随着温度的降低产生过饱和结晶。（）...
问题：位错就是由范性形变造成的，它可以使晶体内的一原子或离子脱离规则的周期排列而位移一段距离，位移区与非位移区交界处必有原子的错位，这样产生线缺陷称为位错。（）...
问题：例出并描述4种真空范围。...
问题：引线焊接有哪些质量要求？...
问题：对于某种薄膜的CVD过程，淀积温度为900℃，质量传输系数hG=10cms-1，表面反应速率系数ks=1×107exp（-1.9eV/kT）cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择（1）冷壁，石墨支座型；（2）热壁，堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。...
问题：离子源是产生离子的装置。（）...
问题：厚膜浆料属于牛顿流体，因此其粘度属于正常黏度。（）...
问题：单相3线插座接线有严格规定（）A、“左零”“右火”B、“左火”“右零”...
问题：集成电路封装有哪些作用？...
问题：例举在线参数测试的4个主要子系统。...
问题：描述曝光波长和图像分辨率之间的关系。...
问题：迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。（）...
问题：粘封工艺中，常用的材料有哪几类？...
问题：离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。A、能量B、剂量...
问题：描述RCA清洗工艺。...
问题：禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子（）外界因素（如高温和辐射等）的干扰而产生变化。A、越不容易受B、越容易受C、基本不受...
问题：例举并描述硅片拣选测试中的三种典型电学测试。...
问题：什么是结深？...
