硅二极管的导通压降大约为（）V
A．0.7
B．0.6
C．0.5
D．0.4
在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
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硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为（）伏；其门坎电压Vth约为（）伏。
普通硅二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V；锗二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V。发光二极管的正向导通压降范围大约为（）V。
单选题型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为（）。A 1VB 0.2VC 0.6V
单选题常温下，硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为（）V。A 0.1B 0.3C 0.5D 0.7
单选题硅晶体二极管与锗晶体二极管的导通压降分别为（）A 0.7V；0.3VB 0.2V；0.3VC 0.3V；0.7VD 0.7V；0.6V
填空题常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
