硅二极管，它在反向电压下的漏电流比锗管小得多，但导通电压较高，约（）V。
二极管的电压—电流关系可简单理解为()导通,()截止的特性。导通后,硅管管压降约为(),锗管管压降约为()。
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硅二极管导通时的正向压降为()V,锗二极管导通时的正向压降为()V。
硅管的反向电流比锗管的反向电流大。（）
二极管导通状态描述错误的是（）A、锗二极管的导通电压为0.3V左右B、硅二极管的导通电压为0.6V左右C、二极管导通后，其导通电流不变D、二极管导通后，其导通电压不变
硅二极管的反向电流比锗二极管大。
二极管处于导通状态时，二极管的压降（）。A、为零B、硅管0.7V，锗管0.3VC、等于电路电压D、电压不变
硅二极管两端加上正向电压时（）。A、立即导通B、若超过0.3V才导通C、若超过死区电才导道
